[发明专利]分层结构中的电触头有效
申请号: | 201380028474.0 | 申请日: | 2013-03-27 |
公开(公告)号: | CN104411621B | 公开(公告)日: | 2017-10-27 |
发明(设计)人: | 保罗·曼斯基;卡尔派斯·比亚尼 | 申请(专利权)人: | 凯姆控股有限公司 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;B05D3/10;B05D1/00 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司11006 | 代理人: | 王玉双 |
地址: | 维尔京群岛*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本公开的各实施方式涉及一种包括纳米结构层的结构,其中该纳米结构层包括形成在其表面上的涂层和多个透明导体。在一些实施方式中,涂层包括具有外表面和内表面的一个或多个导电塞。塞的内表面与纳米结构层电连通,并且外表面形成与涂层的外表面邻近的导电表面触头。在一些实施方式中,该结构包括起偏器,并且该结构在平板式电致变色显示器如液晶显示器、触摸板等中作为屏蔽层。 | ||
搜索关键词: | 分层 结构 中的 电触头 | ||
【主权项】:
一种分层结构,包括:纳米结构层,具有相对的第一表面和第二表面,所述纳米结构层包括多个纳米结构;以及涂层,具有相对的内表面和外表面,所述涂层的所述内表面覆盖所述纳米结构层的所述第二表面,所述涂层具有从所述涂层的所述内表面延伸至所述涂层的所述外表面的多个导电塞,使所述涂层的所述外表面为导电的表面,所述导电塞配置成放置为与所述纳米结构层电连通。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于凯姆控股有限公司,未经凯姆控股有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201380028474.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:多孔碳组合物
- 下一篇:带旋转角测量件的旋转连接器
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造