[发明专利]显示装置、半导体装置和制造显示装置的方法有效
| 申请号： | 201380030166.1 | 申请日： | 2013-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN104350532B | 公开（公告）日： | 2018-04-06 |
| 发明（设计）人： | 津野仁志;永泽耕一 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | G09F9/30 | 分类号： | G09F9/30;G02F1/1368;G09F9/00;H01L21/336;H01L21/822;H01L27/04;H01L29/786;H01L51/50;H05B33/22 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司11240 | 代理人： | 余刚,田喜庆 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本显示装置包括栅极绝缘膜(130)、晶体管部分(100)，晶体管部分(100)具有半导体层(140)和栅电极层(120)，半导体层层叠在绝缘膜上，栅电极膜层叠在栅极绝缘膜的与半导体层相反侧上；第一电容器部分(200)，其具有第一金属膜(210)和第二金属膜(220)，第一金属膜设置在与配线层(161、162)相同的层级，配线层(161、162)电连接到半导体层且设置在晶体管部分之上，第二金属膜(220)设置在第一金属膜之上，第一金属膜(210)和第二金属膜(220)之间具有第一层间绝缘膜(152)；以及显示元件，构造为由晶体管部分控制。 | ||
| 搜索关键词： | 显示装置 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种显示装置，包括：晶体管部分，包括栅极绝缘膜、半导体层和栅电极层，该半导体层层叠在该栅极绝缘膜上，该栅电极层叠在该栅极绝缘膜的该半导体层的相反侧以使得该栅电极层形成在该栅极绝缘膜与基板之间；第一电容器部分，包括第一金属膜和第二金属膜，该第一金属膜设置在与配线层相同的层级，该配线层电连接至该半导体层且设置在该晶体管部分之上，该第二金属膜设置在该第一金属膜之上，该第一金属膜和该第二金属膜之间具有第一层间绝缘膜；以及显示元件，构造为由该晶体管部分控制，其中该第一电容器部分包括在该第一电容器部分的平面中的至少一个凹陷部分，其中该凹陷部分的底部与该晶体管部分的该栅极绝缘膜接触。
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