[发明专利]高纯度多晶硅的制造方法

摘要

本发明提供通过使用含碳杂质的浓度低的原料气体来实现多晶硅的进一步高纯度化的技术。首先，准备三氯硅烷作为样品(S101)，利用GC/MS‑SIM法分析其含碳杂质量(S102)。基于分析结果判定合格与否(S103)，判定为合格品的情况下(S103：是)，将其作为基于CVD法的高纯度多晶硅的制造用原料(104)。另一方面，判定为不合格品的情况下(S103：否)，则不作为多晶硅的制造用原料。基于GC/MS‑SIM法的杂质分析如果使用串联连接非极性柱和中等极性柱而得到的柱作为分离柱，则能够同时进行氯硅烷类与烃类的分离以及氯硅烷类与甲基硅烷类的分离。

主权项

一种高纯度多晶硅的制造方法，使用以三氯硅烷作为主成分的氯硅烷类气体通过CVD法来制造高纯度多晶硅，其特征在于，通过使用串联连接非极性柱和中等极性柱而得到的柱作为分离柱进行成分分离的GC/MS‑SIM法，对包含甲基二氯硅烷的甲基硅烷类和包含异戊烷的烃类的杂质量进行分析，将满足所述甲基硅烷类为0.01ppmw以下并且烃类为0.05ppmw以下的判定基准的三氯硅烷用作原料气体，来合成晶体中的碳浓度为0.048ppma以下的多晶硅。