[发明专利]具有多个电荷存储层的存储器晶体管有效
| 申请号： | 201380031840.8 | 申请日： | 2013-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN104769724B | 公开（公告）日： | 2018-09-18 |
| 发明（设计）人： | 依格·普利斯查克;赛格·利维;克里希纳斯瓦米·库马尔 | 申请（专利权）人： | 赛普拉斯半导体公司 |
| 主分类号： | H01L29/792 | 分类号： | H01L29/792 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 张瑞;郑霞 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供一种包含非易失性存储器的半导体设备以及制造所述半导体设备以改善其性能的方法。通常，所述设备包含存储器晶体管，所述存储器晶体管包含：多晶硅沟道区，其电气连接在衬底中形成的源极区和漏极区；氧化物‑氮化物‑氮化物‑氧化物(ONNO)堆叠，其被布置在所述沟道区之上；以及高功函数栅电极，其在所述ONNO堆叠的表面之上形成。在一个实施方案中，所述ONNO堆叠包含多层电荷俘获区，所述多层电荷俘获区包含富氧的第一氮化物层和被布置在所述第一氮化物层之上的贫氧的第二氮化物层。还公开其他实施方案。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 电荷 存储 存储器 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种半导体设备，包括：存储器晶体管，所述存储器晶体管包含：沟道区，所述沟道区电气连接被形成为覆盖并且在衬底的表面之上的源极区与漏极区，所述沟道区包括多晶硅；氧化物‑氮化物‑氮化物‑氧化物ONNO堆叠，所述ONNO堆叠被布置在所述沟道区的上方并围住所述沟道区的至少三个侧，且包括多层电荷俘获区，所述多层电荷俘获区包含富氧的第一氮化物层和被布置在所述第一氮化物层之上的贫氧的第二氮化物层；以及高功函数栅电极，所述高功函数栅电极在所述ONNO堆叠的表面上形成，其中所述高功函数栅电极包括掺杂的多晶硅层，该掺杂的多晶硅层被掺杂以使得从栅电极中除去电子需要的最小能量被增加。
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