[发明专利]锂的预掺杂方法、锂预掺杂电极和蓄电器件无效
| 申请号： | 201380032145.3 | 申请日： | 2013-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN104471757A | 公开（公告）日： | 2015-03-25 |
| 发明（设计）人： | 藤井祐则;佐竹久史;木下肇 | 申请（专利权）人： | 信越化学工业株式会社 |
| 主分类号： | H01M4/38 | 分类号： | H01M4/38;H01G11/22;H01M4/13;H01M4/134;H01M4/139;H01M4/1395;H01M4/36;H01M4/48;H01M4/62 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 李英 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及锂的预掺杂方法、使用了该方法的锂预掺杂电极和蓄电器件，该方法的特征在于，在溶剂的存在下将能够吸留、放出锂离子的Si系材料与锂金属混炼混合，该能够吸留、放出锂离子的Si系材料是从a)硅、以及硅和二氧化硅的复合分散体，b)由SiOx(0.5≦x＜1.6)表示的、具有硅的微粒在硅系化合物中分散的微细的结构的粒子，和c)上述式的硅低级氧化物中选择的1种或2种以上的混合物。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂 方法 电极 器件 | ||
【主权项】：
锂的预掺杂方法，其特征在于，在溶剂的存在下将能够吸留、放出锂离子的Si系材料与锂金属混炼混合，该能够吸留、放出锂离子的Si系材料是从a)硅、以及硅和二氧化硅的复合分散体，b)由SiOx表示的、具有硅的微粒在硅系化合物中分散的微细的结构的粒子，0.5≦x＜1.6，和c)上述式的硅低级氧化物中选择的1种或2种以上的混合物。
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