[发明专利]覆有封装层的半导体元件和半导体装置的制造方法

摘要

本发明提供覆有封装层的半导体元件和半导体装置的制造方法。覆有封装层的半导体元件的制造方法包括：配置工序，在该配置工序中，将半导体元件配置在支承台之上；封装工序，在该封装工序中，利用具有剥离层和层叠在剥离层之下且由热固化性树脂构成的完全固化前的封装层的封装片的封装层来埋设半导体元件而将半导体元件封装；以及加热工序，该加热工序在封装工序之后对封装层加热而使封装层固化。加热工序具有：第1加热工序，在该第1加热工序中，利用第1温度在常压下对封装片加热；剥离工序，该剥离工序在第1加热工序之后将剥离层自封装层剥离；以及第2加热工序，该第2加热工序在剥离工序之后利用温度高于第1温度的第2温度对封装层加热。

主权项

一种覆有封装层的半导体元件的制造方法，其特征在于，该覆有封装层的半导体元件的制造方法包括：配置工序，在该配置工序中，将半导体元件配置在支承台之上；封装工序，在该封装工序中，利用具有剥离层和层叠在所述剥离层之下且由热固化性树脂构成的完全固化前的封装层的封装片的所述封装层来埋设所述半导体元件而将所述半导体元件封装；以及加热工序，该加热工序在所述封装工序之后对所述封装层加热而使所述封装层固化，所述加热工序具有：第1加热工序，在该第1加热工序中，利用第1温度在常压下对所述封装片加热；剥离工序，该剥离工序在所述第1加热工序之后将所述剥离层自所述封装层剥离；以及第2加热工序，该第2加热工序在所述剥离工序之后利用温度高于所述第1温度的第2温度对所述封装层加热。