[发明专利]用于MOS器件制作的自对准3-D外延结构

摘要

本发明公开了用于鳍式晶体管器件的定制化的技术，以在同一集成电路管芯内提供不同范围的沟道配置和/或材料系统。根据一个示例性实施例，去除牺牲鳍状物，并且利用具有适合于给定应用的任意成分和应变的定制半导体材料来进行替换。在一个这种情况下，使第一组所述牺牲鳍状物中的每个牺牲鳍状物凹陷，或者将其去除并且利用p型材料来进行替换，以及使第二组所述牺牲鳍状物中的每个牺牲鳍状物凹陷，或者将其去除并且利用n型材料来进行替换。p型材料可以完全独立于用于n型材料的工艺，反之亦然。利用本文中所提供的技术能够实现许多其它电路配置和器件变型。

主权项

一种用于形成鳍式晶体管结构的方法，所述方法包括：在衬底上形成多个鳍状物，每个鳍状物从所述衬底延伸；在每个鳍状物的相对的侧上形成浅沟槽隔离；使至少一些所述鳍状物凹陷以提供第一组凹陷；以及在所述第一组凹陷中的每个凹陷中形成第一类型的替代鳍状物，所述第一类型的每个替代鳍状物包括所述晶体管结构的沟道。