[发明专利]碳化硅外延晶片及其制备方法

摘要

根据一个实施方案，提供一种制造外延晶片的方法，其包括在衬托器中准备晶片；以及在所述晶片上生长外延层，其中所述在所述晶片上生长外延层包括将原料供给到所述衬托器中；在所述晶片上以第一生长速度生长所述外延层；以及在所述晶片上以比所述第一生长速度更高的第二生长速度生长所述外延层。根据一个实施方案，提供一种碳化硅外延晶片，其包含碳化硅晶片；和所述碳化硅晶片上的碳化硅外延层，其中在所述碳化硅外延层上形成的表面缺陷为1ea/cm2以下。

主权项

一种制造碳化硅外延晶片的方法，所述方法包括：在衬托器中准备晶片；以及在所述晶片上生长碳化硅外延层，其中所述在所述晶片上生长碳化硅外延层包括：将原料供给到所述衬托器中；使用所述原料制造中间化合物；在所述晶片上以第一生长速度生长所述碳化硅外延层；以及在所述晶片上以比所述第一生长速度更高的第二生长速度生长所述碳化硅外延层，其中所述原料包含含有碳和硅的液体原料，其中所述液体原料包含甲基三氯硅烷(MTS)或三氯硅烷(TCS)，其中在使用所述原料制造中间化合物的过程中，原料分解为包含硅、碳和氯的基团，其中所述基团包括CH3·、SiCl·、SiCl2·、SiHCl·或SiHCl2·，其中在所述晶片上以第二生长速度生长所述碳化硅外延层的步骤中供给到衬托器中的原料的量，比在所述晶片上以第一生长速度生长所述碳化硅外延层的步骤中供给到衬托器中的原料的量更多，其中在所述晶片上以第一生长速度生长所述碳化硅外延层的过程中，温度在1570℃～1650℃范围内，其中在所述晶片上以第二生长速度生长所述碳化硅外延层的过程中，温度在1500℃～1700℃范围内。