[发明专利]多晶CaF2构件、用于等离子体处理装置的构件、等离子体处理装置及聚焦环的制造方法有效
| 申请号： | 201380035575.0 | 申请日： | 2013-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN104428271B | 公开（公告）日： | 2017-03-08 |
| 发明（设计）人： | 上原直保 | 申请（专利权）人： | 株式会社尼康 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;C04B37/00;B23K20/00;C01F11/22;C04B35/553;C23C16/44 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人： | 杨宏军,牛蔚然 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的多晶CaF2构件由下述组合体构成，所述组合体是将由CaF2构成的复数个多晶体压接而成的。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 caf2 构件 用于 等离子体 处理 装置 聚焦 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种多晶CaF2构件，其包括下述组合体，所述组合体是将仅由CaF2构成的复数个多晶体压接而成的，其中，所述多晶体的晶粒的平均粒径为200μm以上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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