[发明专利]单片多通道可自适应STT‑MRAM有效
| 申请号： | 201380041999.8 | 申请日： | 2013-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN104520934B | 公开（公告）日： | 2018-01-26 |
| 发明（设计）人： | S·H·康;X·朱 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/02 | 分类号： | G11C29/02;G11C11/16 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人： | 袁逸 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 单片多通道电阻式存储器包括至少一个第一组，该至少一个第一组与第一通道相关联并且根据第一设备属性和/或第一电路属性来调谐。该存储器还包括至少一个第二组，该至少一个第二组与第二通道相关联并且根据第二设备属性和/或第二电路属性来调谐。 | ||
| 搜索关键词： | 单片 通道 自适应 stt mram | ||
【主权项】：
一种多通道电阻式存储器，包括：至少一个第一存储器类型的第一存储器组，所述至少一个第一存储器类型的第一存储器组与第一存储器通道相关联并且根据第一设备属性和对应于所述第一存储器类型的第一电路属性中的至少一个来调谐；至少一个第二存储器类型的第二存储器组，所述至少一个第二存储器类型的第二存储器组与第二存储器通道相关联并且根据第二设备属性和对应于所述第二存储器类型的第二电路属性中的至少一个来调谐；以及耦合到第一存储器通道和第二存储器通道的处理器，其中独立于通过所述第二存储器通道到所述第二存储器组的直接存储器访问，所述第一存储器通道向所述处理器提供到所述第一存储器组的直接访问。
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