[发明专利]具有锗有源层及其下方的寄生漏电屏障层的半导体器件

摘要

描述了具有锗有源层及其下方的寄生漏电屏障层的半导体器件。例如，半导体器件包括布置在衬底上的第一缓冲层。寄生漏电屏障布置在第一缓冲层上。第二缓冲层布置在寄生漏电屏障上。锗有源层布置在第二缓冲层上。栅极电极叠置体布置在锗有源层上。源极区和漏极区布置在寄生漏电屏障之上且位于栅极电极叠置体的任一侧上。

主权项

一种平面半导体器件，包括：布置在衬底之上的第一缓冲层；布置在所述第一缓冲层之上的寄生漏电屏障；布置在所述寄生漏电屏障之上的第二缓冲层；布置在所述第二缓冲层之上的锗有源层；布置在所述锗有源层之上的栅极电极叠置体；以及布置在所述寄生漏电屏障之上且位于所述栅极电极叠置体的两侧中的任一侧上的源极区和漏极区，其中，所述源极区和所述漏极区被布置在所述锗有源层中并被布置在所述第二缓冲层中，但是不与所述寄生漏电屏障接触，其中，所述寄生漏电屏障包括交替的第一层类型和第二层类型，所述第一层类型实质上由硅组成或者实质上由锗浓度低于所述第一缓冲层或所述第二缓冲层的锗浓度的硅锗组成，并且所述第二层类型实质上包括与所述第一缓冲层的材料相同的材料。