[发明专利]外延晶片及其制造方法

摘要

本发明提供了一种外延晶片及其制造方法，并且所述方法包括：预生长步骤，通过在布置在室内的半导体晶片上注入用于外延生长的反应源在指定的第一生长速率下和在指定的第一生长温度下将外延层生长为指定的第一厚度；热处理步骤，对由预生长步骤生长的外延层执行热处理预定时间；以及后续生长步骤，通过在经热处理的半导体晶片上注入反应源在指定的第二生长速率下和在指定的第二生长温度下将外延层生长至目标厚度，其中第一生长速率比第二生长速率慢。

主权项

一种制造外延晶片的方法，包括：预生长步骤，在布置在室中的半导体晶片上注入用于外延生长的反应源，以及在预定的第一生长速率下和在预定的第一生长温度下将外延层生长为预定的第一厚度；热处理步骤，对通过所述预生长步骤生长的所述外延层执行预定时间的热处理；以及后续生长步骤，在经热处理的半导体晶片上注入所述反应源，以及在预定的第二生长速率下和在预定的第二生长温度下将所述外延层生长至目标厚度，其中所述第一生长速率小于所述第二生长速率。