[发明专利]FinFET电容器及其制造方法有效
| 申请号： | 201380045754.2 | 申请日： | 2013-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN104603931B | 公开（公告）日： | 2018-01-16 |
| 发明（设计）人： | R·张;L·G·舒亚-伊恩;S·顾 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/84 | 分类号： | H01L21/84;H01L27/06;H01L27/12;H01L27/13;H01L49/02 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人： | 唐杰敏 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了可以用与FinFET兼容的工艺制造的电容器。该电容器包括在基板上形成的鳍(506，508)，其中该鳍由电容器介电材料彼此分隔开。有相同的极性的鳍通过盖连接(510，512)互相连接。 | ||
| 搜索关键词： | finfet 电容器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种电容器(300)，包括：第一电容器端子，包括布置在半导体基板(302)的表面上的至少第一鳍(304)和第二鳍(304)；第二电容器端子，包括布置在所述半导体基板的所述表面上的、位于所述第一鳍(304)与所述第二鳍(304)之间且与所述第一鳍(304)与所述第二鳍(304)共面的、与FinFET兼容的高K导电栅极(306)；以及与所述半导体基板(302)分隔开且被布置成覆盖所述第一鳍(304)和所述第二鳍(304)以及所述高K导电栅极(306)的介电层(308)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
