[发明专利]光半导体分散树脂组合物及其制造方法以及抗菌性部件有效

专利信息
申请号: 201380045892.0 申请日: 2013-11-18
公开(公告)号: CN104603208B 公开(公告)日: 2016-10-19
发明(设计)人: 植田刚士;绢川谦作;山科大悟 申请(专利权)人: 松下知识产权经营株式会社
主分类号: C08L101/00 分类号: C08L101/00;A01N25/10;A01N59/20;A01P3/00;C08F290/06;C08K3/22;C08K3/24;C08K3/30
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 张楠;陈建全
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明的光半导体分散树脂组合物含有:光半导体、相对于光半导体100质量份为0.1~5质量份的铜化合物、相对于光半导体100质量份为50~350质量份的活性能量射线固化性树脂、以及相对于活性能量射线固化性树脂100质量份为0.1~20质量份的光聚合引发剂。并且,树脂组合物是通过利用活性能量射线的照射进行活性能量射线固化性树脂的聚合和光半导体的激发而制作的。
搜索关键词: 半导体 分散 树脂 组合 及其 制造 方法 以及 抗菌 部件
【主权项】:
一种光半导体分散树脂组合物,其特征在于,其含有:光半导体、相对于所述光半导体100质量份为0.1~5质量份的2价铜化合物、相对于所述光半导体100质量份为50~350质量份的活性能量射线固化性树脂、以及相对于所述活性能量射线固化性树脂100质量份为0.1~20质量份的光聚合引发剂,所述光半导体分散树脂组合物是通过利用活性能量射线的照射进行所述活性能量射线固化性树脂的聚合、所述光半导体的激发和所述2价铜化合物还原成1价铜化合物的工序而制作的。
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