[发明专利]单极存储器装置有效
申请号: | 201380049034.3 | 申请日: | 2013-08-20 |
公开(公告)号: | CN104662610B | 公开(公告)日: | 2017-10-27 |
发明(设计)人: | 杜赖·维沙克·尼马尔·拉马斯瓦米;毕磊 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | G11C13/00 | 分类号: | G11C13/00 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司11287 | 代理人: | 路勇 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及电子设备、系统及方法,其可包含电阻性存储器单元,所述电阻性存储器单元具有被结构化为氧源与氧汇之间的操作可变电阻区域的电介质。所述电介质、氧源及氧汇可相对于所述电介质中细丝的产生及修复而被结构化为场驱动单极存储器元件。本发明还揭示额外设备、系统及方法。 | ||
搜索关键词: | 单极 存储器 装置 | ||
【主权项】:
一种存储器设备,其包括:电阻性存储器单元,其包含:氧汇;氧源;电介质,其安置于所述氧汇与所述氧源之间,所述电介质与所述氧汇接触并与所述氧源接触;及两个电极,其具有安置于其之间的所述氧汇、所述氧源及所述电介质,所述两个电极中的一者与所述氧汇接触且所述两个电极中的另一者与所述氧源接触,所述氧源及所述电介质经结构化:使得可通过将第一电压施加于所述两个电极之间来实现在所述电介质中设定导电细丝以将所述氧源耦合到所述氧汇,所述第一电压具有第一极性;及使得可通过将第二电压施加于所述两个电极之间而实现在所述电介质中重设所述细丝,所述第二电压具有第二极性,所述第二极性与所述第一极性相同。
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