[发明专利]调度表生成装置以及方法、基板处理装置以及方法有效
申请号: | 201380049382.0 | 申请日: | 2013-07-25 |
公开(公告)号: | CN104662640B | 公开(公告)日: | 2017-04-12 |
发明(设计)人: | 平藤裕司 | 申请(专利权)人: | 斯克林集团公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;G05B19/418;H01L21/677 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司72003 | 代理人: | 董雅会,向勇 |
地址: | 日本国京*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 提供一种在搬运多张基板时的调度表生成中,能够生成时间效率高的调度表的技术。本发明的调度表生成装置,在通过处理部对多张基板进行处理并搬运时的调度表生成中,判断是否能够通过一并搬出流程使搬运比通过依次搬出流程早结束,然后根据判断结果选择性地采用一并搬出流程或依次搬出流程。其中,依次搬出流程是以能够开始进行搬运处理的时刻早的顺序将各基板搬运至规定的搬运目的地的流程,一并搬出流程时在后基板的搬运处理能够开始的时刻之前不搬运能够开始进行搬运处理的基板,而在变为在后基板的搬运处理能够开始的时刻时一并将多张基板搬运至搬运目的地的流程。 | ||
搜索关键词: | 调度 生成 装置 程序 以及 方法 处理 | ||
【主权项】:
一种调度表生成装置,用于生成基板处理装置的控制调度表,该控制调度表包括搬运处理的调度表,该搬运处理指,利用规定的搬运单元将被多个处理单元并行且在彼此独立的时刻处理过的多张基板向规定的搬运目的地搬运的处理,该调度表生成装置的特征在于,具有比较单元和选择性调度表生成单元,该比较单元针对在先基板和在后基板相互比较第1判定用时刻值和第2判定用时刻值,所述在先基板指,通过所述多个处理单元中的任意的一处理单元进行的处理先结束的基板,所述在后基板指,通过所述多个处理单元中的与所述一处理单元不同的处理单元进行的处理在所述在先基板的处理结束之后结束的基板,在将对所述在先基板进行处理的处理单元称为第1处理单元,将对所述在后基板进行处理的处理单元称为第2处理单元时,所述第1判定用时刻值为与依次搬出流程结束的时刻相对应的时刻值,所述依次搬出流程为,依次对所述在先基板和所述在后基板进行所述搬运处理的搬出时序,所述第2判定用时刻值为与一并搬出流程结束的时刻相对应的时刻值,所述一并搬出流程表为,使所述在先基板待机至通过所述第2处理单元对所述在后基板进行的处理结束为止,并在对所述在后基板的处理结束之后,对所述在先基板和所述在后基板一并进行所述搬运处理的搬出时序;在所述第1判定用时刻值比所述第2判定用时刻值早时,所述选择性调度表生成单元采用所述依次搬出流程来生成所述基板处理装置的调度表数据,在所述第2判定用时刻值比所述第1判定用时刻值早时,所述选择性调度表生成单元采用所述一并搬出流程来生成所述基板处理装置的调度表数据。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于斯克林集团公司,未经斯克林集团公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201380049382.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造