[发明专利]氮化硅质烧结体及加热装置以及吸附装置有效
| 申请号： | 201380050338.1 | 申请日： | 2013-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN104684870A | 公开（公告）日： | 2015-06-03 |
| 发明（设计）人： | 大田瑞穗;石川和洋;织田武广 | 申请（专利权）人： | 京瓷株式会社 |
| 主分类号： | C04B35/584 | 分类号： | C04B35/584;F27D11/02;H05B3/14 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 蒋亭 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种导热率高的氮化硅质烧结体及加热装置以及吸附装置。本发明的氮化硅质烧结体具有氮化硅的结晶、MgRE4Si3O13的结晶(RE为稀土元素)、和REMgSi2O5N的结晶，因此具有高导热率。另外，具备包含这样的氮化硅质烧结体的保护管的加热装置能够高效传导加热器的热。而且，具备包含这样的氮化硅质烧结体的吸附构件的吸附装置能够将被吸附体所具有的热高效地散热。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 烧结 加热 装置 以及 吸附 | ||
【主权项】：
一种氮化硅质烧结体，其特征在于，具有氮化硅的结晶、MgRE4Si3O13的结晶(RE为稀土元素)、和REMgSi2O5N的结晶。
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