[发明专利]标准电极电位大于0V的元素的粒子的制造方法在审
| 申请号： | 201380054506.4 | 申请日： | 2013-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN104736275A | 公开（公告）日： | 2015-06-24 |
| 发明（设计）人： | 林谦一;丰冈诚 | 申请（专利权）人： | 日本曹达株式会社 |
| 主分类号： | B22F9/24 | 分类号： | B22F9/24;B01D15/00;B01J20/26;C01B7/14;C02F1/28;C08L83/16 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 苗堃;金世煜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供标准电极电位大于0V的元素的粒子的制造方法和标准电极电位大于0V的元素的粒子与聚硅烷的复合体，该标准电极电位大于0V的元素的粒子的制造方法的特征在于，在质子性溶剂溶液中，使用对质子性溶剂具有难溶性的聚硅烷，由至少1种的标准电极电位大于0V的元素的离子制造该元素的粒子；该标准电极电位大于0V的元素的粒子与聚硅烷的复合体的特征在于，至少1种的标准电极电位大于0V的元素(其中，上述聚硅烷为二甲基聚硅烷时，上述元素不包括钯)的粒子吸附于对质子性溶剂具有难溶性的聚硅烷。 | ||
| 搜索关键词： | 标准 电极 电位 大于 元素 粒子 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种标准电极电位大于0V的元素的粒子的制造方法，其特征在于，将含有至少1种的标准电极电位大于0V的元素的离子和质子性溶剂的质子性溶剂溶液与对所述质子性溶剂具有难溶性的聚硅烷混合，由所述标准电极电位大于0V的元素的离子制造该元素的粒子。
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