[发明专利]气体阻隔性膜的制造方法、气体阻隔性膜和电子设备有效
| 申请号： | 201380054591.4 | 申请日： | 2013-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN104736336A | 公开（公告）日： | 2015-06-24 |
| 发明（设计）人： | 江连秀敏 | 申请（专利权）人： | 柯尼卡美能达株式会社 |
| 主分类号： | B32B9/00 | 分类号： | B32B9/00;C23C16/509 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 苗堃;赵曦 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的课题在于提供即便在高温高湿的使用环境下也能够维持优异的气体阻隔性、且挠性(弯曲性)和密合性优异的气体阻隔性膜的制造方法以及气体阻隔性膜和使用其的电子设备元件。本发明的气体阻隔性膜的制造方法是在树脂基材的一个面上具备含有碳原子、硅原子和氧原子的气体阻隔层并在该树脂基材的与具有气体阻隔层的面相反的一侧的面上具有导电层的气体阻隔性膜的制造方法，其特征在于，上述气体阻隔层是使用含有有机硅化合物的原料气体和氧气并利用在施加了磁场的辊间具有放电空间的放电等离子体化学气相生长法而形成的，上述导电层在23℃、50％RH的环境下的表面电阻率值在1×103～1×1010Ω/□的范围内。 | ||
| 搜索关键词： | 气体 阻隔 制造 方法 电子设备 | ||
【主权项】：
一种气体阻隔性膜的制造方法，该气体阻隔性膜在树脂基材的一个面上具备含有碳原子、硅原子和氧原子的气体阻隔层，在该树脂基材的与具有气体阻隔层的面相反一侧的面上具有导电层，所述制造方法的特征在于，使用含有有机硅化合物的原料气体和氧气，利用在施加了磁场的辊间具有放电空间的放电等离子体化学气相生长法，在所述树脂基材的一个面上形成所述气体阻隔层，在所述树脂基材的与具有气体阻隔层的面相反一侧的面上形成导电层，所述导电层的23℃、50％RH的环境下的表面电阻率值在1×103～1×1010Ω/□的范围内。
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