[发明专利]半导体器件用接合线及其制造方法

摘要

本发明涉及一种半导体器件用接合线及其制造方法，并且更具体地，涉及包括以下步骤的半导体器件用接合线的制造方法：在具有第一金属作为主要组分的芯材料上形成具有第二金属作为主要组分的第一涂层；对在其上形成了所述第一涂层的所述芯材料进行拉线；以及在已经完成了所述拉线的所述芯材料和所述第一涂层上形成具有第三金属作为主要组分的第二涂层。当使用本发明的接合线和其制造方法时，可以降低对芯片的损害，同时防止芯材料暴露，并且提高耐酸性和第二侧面的接合性。

主权项

一种半导体器件用接合线，所述接合线包括：芯材料，所述芯材料具有作为主要组分的第一金属；第一涂层，所述第一涂层形成在所述芯材料的表面上，并且具有作为主要组分的第二金属，所述第二金属的组分和组成与所述第一金属的组分和组成不同；和第二涂层，所述第二涂层包围所述芯材料和所述第一涂层，并且具有作为主要组分的第三金属，所述第三金属的组分和组成与所述第二金属的组分和组成不同，其中所述第一金属是Cu、Ag或它们的合金，所述第二金属是Au、Ag、Pt、Pd或它们的合金，所述第三金属是Au、Ag、Pt、Pd或它们的合金，并且所述第二涂层的表面具有约1nm至约6nm的粗糙度。