[发明专利]成膜掩模的制造方法在审
申请号: | 201380058995.0 | 申请日: | 2013-10-29 |
公开(公告)号: | CN104797733A | 公开(公告)日: | 2015-07-22 |
发明(设计)人: | 水村通伸 | 申请(专利权)人: | 株式会社V技术 |
主分类号: | C23C14/04 | 分类号: | C23C14/04 |
代理公司: | 北京市隆安律师事务所 11323 | 代理人: | 权鲜枝 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明包含如下阶段:形成掩模用构件(7),掩模用构件(7)是形成有贯通孔的薄板状的磁性金属构件和树脂制膜紧贴而成的结构;对上述掩模用构件的上述贯通孔内的上述膜照射激光而形成一定深度的标记;以及以上述标记为基准对预定的位置照射激光而形成贯通上述膜的上述开口图案。 | ||
搜索关键词: | 成膜掩模 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种成膜掩模的制造方法,上述成膜掩模是使树脂制成的膜和薄板状的磁性金属构件紧贴而成的复合型的成膜掩模,上述树脂制成的膜按在基板上成膜的薄膜图案形成有形状尺寸与该薄膜图案相同的开口图案,上述磁性金属构件形成有内涵上述开口图案的大小的贯通孔,上述成膜掩模的制造方法的特征在于包含如下阶段:形成掩模用构件,上述掩模用构件是形成有上述贯通孔的上述磁性金属构件和形成上述开口图案前的树脂制膜紧贴而成的结构;对上述掩模用构件的上述贯通孔内的上述膜照射激光而形成具有一定形状且一定深度的标记;以及以上述标记为基准对预定的位置照射激光而形成贯通上述膜的上述开口图案。
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