[发明专利]氧化物烧结体、使用其的溅射靶及氧化物膜有效
| 申请号： | 201380059488.9 | 申请日： | 2013-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN104781211A | 公开（公告）日： | 2015-07-15 |
| 发明（设计）人： | 秋池良;仓持豪人;玉野公章 | 申请（专利权）人： | 东曹株式会社 |
| 主分类号： | C04B35/453 | 分类号： | C04B35/453;C23C14/34;H01L31/032;H01L31/0392;H01L31/0749 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 沈雪 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： |
本发明提供一种溅射靶用氧化物烧结体，其能够向化合物薄膜太阳能电池的n型半导体层至p型半导体层表面添加特定元素。本发明的氧化物烧结体含有Zn和至少一种电离电位Ip为4.5eV≤Ip≤8.0eV，且原子半径d为1.20 |
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| 搜索关键词： | 氧化物 烧结 使用 溅射 | ||
【主权项】：
一种氧化物烧结体，其含有锌(Zn)、和至少一种电离电位Ip为4.5eV≤Ip≤8.0eV，且原子半径d为![]()
以下的元素X，但仅添加Mg的情况除外，并且，所述氧化物烧结体具有0.0001≤X/(Zn+X)≤0.20的组成比(原子比)，烧结密度为95％以上。
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