[发明专利]用于读取可变电阻存储器元件的方法和装置有效
| 申请号： | 201380059592.8 | 申请日： | 2013-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN104781886B | 公开（公告）日： | 2017-08-01 |
| 发明（设计）人： | N·J·奥古斯特;L·魏 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人： | 陈松涛,王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在一些实施例中，检测电阻存储器单元中的电阻可以使用脉冲边沿来完成。例如，可以通过电阻存储器数据单元施加一个脉冲，通过参考延迟电路施加另一个脉冲，以便确定哪条路径具有较大延迟，以便确定考虑中的数据单元的电阻状态。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 读取 可变 电阻 存储器 元件 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种芯片，包括：可变电阻存储器单元；参考延迟电路；以及检测器，所述检测器耦合到所述可变电阻存储器单元和所述参考延迟电路，以便确定来自所述可变电阻存储器单元的脉冲是否在来自所述参考延迟电路的脉冲之前到达，其中，来自所述可变电阻存储器单元的所述脉冲具有从高电平转变为低电平的前沿，并且其中，来自所述参考延迟电路的所述脉冲具有从高电平转变为低电平的前沿。
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