[发明专利]晶体管、存储器单元及半导体构造

摘要

一些实施例包含具有延伸到半导体基底中的栅极的半导体构造。导电掺杂源极及漏极区域在基底中与栅极邻近。栅极电介质具有：第一区段，其介于源极区域与栅极之间；第二区段，其介于漏极区域与栅极之间；及第三区段，其介于第一区段与第二区段之间。栅极电介质的至少一部分包括铁电材料。在一些实施例中，铁电材料在第一区段、第二区段及第三区段中的每一者内。在一些实施例中，铁电材料在第一区段或第三区段内。在一些实施例中，晶体管具有栅极、源极区域及漏极区域；且具有介于源极区域与漏极区域之间的沟道区域。晶体管具有栅极电介质，其包含介于源极区域与栅极之间的铁电材料。

主权项

一种半导体构造，其包括：半导体基底；栅极，其延伸到所述基底中；与所述栅极邻近的所述基底的第一区域为导电掺杂源极区域；且与所述栅极邻近且与所述第一区域隔开的所述基底的第二区域为导电掺杂漏极区域；栅极电介质，其包括介于所述源极区域与所述栅极之间的第一区段、介于所述漏极区域与所述栅极之间的第二区段及介于所述第一区段与所述第二区段之间的第三区段；且其中所述栅极电介质的至少一部分包括铁电材料。