[发明专利]三维闪存存储器系统有效
| 申请号： | 201380060290.2 | 申请日： | 2013-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN104823242B | 公开（公告）日： | 2018-09-14 |
| 发明（设计）人： | H.V.特兰;H.Q.阮;M.雷滕 | 申请（专利权）人： | 硅存储技术公司 |
| 主分类号： | G11C5/02 | 分类号： | G11C5/02;G11C5/06;G11C16/30;H01L21/768;H01L23/48;H01L25/065;H01L25/00;G11C29/26 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 申屠伟进;陈岚 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了一种三维闪存存储器系统。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 闪存 存储器 系统 | ||
【主权项】：
1.一种存储器设备，包括：第一晶粒，所述第一晶粒包括闪存存储器单元的第一阵列；第一控制电路，其用于在所述第一阵列内生成多个第一大小的扇区；第二晶粒，所述第二晶粒包括闪存存储器单元的第二阵列；第二控制电路，其用于在所述第二阵列内生成多个与所述第一大小不同的第二大小的扇区；以及多个TSV连接，所述多个TSV连接在所述第一晶粒与所述第二晶粒之间。
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