[发明专利]倾斜磁场线圈装置及磁共振成像装置有效
| 申请号： | 201380061471.7 | 申请日： | 2013-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN104822319A | 公开（公告）日： | 2015-08-05 |
| 发明（设计）人： | 中康弘;黑目明 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立医疗器械 |
| 主分类号： | A61B5/055 | 分类号： | A61B5/055 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 张敬强;严星铁 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 倾斜磁场线圈装置(2)具有：主线圈装置(3)，其在第一树脂(3a)中埋入产生倾斜磁场与泄漏磁场的多个主线圈(3z)并整形；以及屏蔽线圈装置(4)，其在第二树脂(4a)中埋入抑制泄漏磁场的多个屏蔽线圈(4z)并整形，屏蔽线圈装置(4)具备与主线圈装置(3)对置并固定于主线圈装置(3)的对置区域(A1)及从主线圈装置(3)突出的突出区域(A2)，在突出区域(A2)中的第二树脂(4a)中埋入绝缘性的加固材料(5)。加固材料(5)在屏蔽线圈装置(4)的圆周方向上配置多个，优选在互相邻接的加固材料(5)之间填充第二树脂(4a)。加固材料(5)优选相对于屏蔽线圈(4z)等配置于主线圈装置(3)侧。 | ||
| 搜索关键词： | 倾斜 磁场 线圈 装置 磁共振 成像 | ||
【主权项】：
一种倾斜磁场线圈装置，其特征在于，具有：主线圈装置，其在第一树脂中埋入产生倾斜磁场与泄漏磁场的多个主线圈并整形；以及屏蔽线圈装置，其在第二树脂中埋入抑制上述泄漏磁场的多个屏蔽线圈并整形，上述屏蔽线圈装置具备与上述主线圈装置对置并固定于上述主线圈装置的对置区域及从上述主线圈装置突出的突出区域，在上述突出区域中的上述第二树脂中埋入绝缘性的加固材料。
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