[发明专利]发光二极管

摘要

本发明涉及发光二极管、制造其的方法及其用途。本申请可以提供具有极佳的初始光输出以及极佳的颜色均匀度和色散的发光二极管、制造该发光二极管的方法及其用途。根据本申请实施方案的发光二极管包含：发光二极管芯片；在该发光二极管芯片上的第一聚硅氧烷膜层；以及在该第一聚硅氧烷膜层上的第二聚硅氧烷膜层，第二聚硅氧烷膜层包含磷光体，并且在不包含该磷光体的状态下具有与第一聚硅氧烷膜层相比更低的折射率。

主权项

1.一种发光二极管，包含:发光二极管芯片，其发射波长是250nm至550nm；形成在所述发光二极管芯片上的第一聚硅氧烷膜层，所述第一聚硅氧烷膜层包括0.5重量％或更多至小于10重量％的散射粒子，并且所述第一聚硅氧烷膜层包含磷光体；以及形成在所述第一聚硅氧烷膜层上的第二聚硅氧烷膜层，所述第二聚硅氧烷膜层包含磷光体，并且当不包含所述磷光体时具有比所述第一聚硅氧烷膜层的折射率低的折射率，其中所述散射粒子具有100nm以上的平均粒径，并且所述散射粒子的折射率与不包含所述散射粒子的第一聚硅氧烷膜层的折射率之差的绝对值为0.15至1.0，并且其中所述第一聚硅氧烷膜层或所述第二聚硅氧烷膜层为下述组合物的固化膜层，所述组合物包括具有式1的平均单元的有机聚硅氧烷和具有式11的平均单元的有机聚硅氧烷：[式1]PaQbSiO(4‑a‑b)/2[式11]HcQdSiO(4‑c‑d)/2在式1和式11中，P为烯基，Q为环氧基或单价烃基，a+b在0.8至2.2的范围内且a/(a+b)为在0.001至0.15的范围内的数值，并且c和d为使得c+d为1至2.8且c/(c+d)为0.001至0.34的数值，其中所述第一聚硅氧烷膜层包含键合于硅原子的环氧基，其中包括在所述第一聚硅氧烷膜中的环氧基的摩尔数(E)相对于总的硅原子的摩尔数(Si)的比率(E/Si)为0.001至0.15，并且其中所述第一聚硅氧烷膜层包含键合于硅原子的芳基，其中包括在所述第一聚硅氧烷膜中的芳基的摩尔数(Ar)相对于总的硅原子的摩尔数(Si)的比率(Ar/Si)为0.3至2.0。