[发明专利]多维结构访问在审
申请号: | 201380063643.4 | 申请日: | 2013-10-04 |
公开(公告)号: | CN104813459A | 公开(公告)日: | 2015-07-29 |
发明(设计)人: | J.布莱克伍德;S.H.李;M.施米德特;S.斯通;K.霍兰德 | 申请(专利权)人: | FEI公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 马红梅;徐红燕 |
地址: | 美国俄*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 从单个视角暴露样本内的多个平面以供电气探测器接触。可以以非正交角度铣削样本以暴露不同层作为有斜率的表面。多个平行导体平面的有斜率的边缘提供从上方对多个层级的访问。可以访问平面例如以用于与用于施加或感测电压的电气探测器接触。可以例如通过从样本表面对暴露层向下计数来识别要接触的暴露层的层级,由于非正交铣削使所有层从上方可见。可替换地,可以与表面正交地铣削样本,并然后使样本倾斜和/或旋转,以提供对器件的多个层级的访问。优选地与感兴趣的区域远离地执行铣削以在最小化对所述区域的损害的同时提供对所述区域的电气访问。 | ||
搜索关键词: | 多维 结构 访问 | ||
【主权项】:
一种分析具有多层导电材料的三维集成电路结构中的感兴趣的区域的方法,包括:以非法向角度朝向三维集成电路结构引导聚焦离子束到导电材料层以暴露多个水平导电层;确定哪个暴露的水平导体对应于感兴趣的部件的垂直位置;移动一个或多个电气探测器以从上方接触暴露的水平导体;向电气探测器施加电压;以及观察所施加的电压的效应以分析感兴趣的区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造