[发明专利]用于重新形成电阻存储器单元的装置和方法在审
| 申请号： | 201380064169.7 | 申请日： | 2013-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN104871250A | 公开（公告）日： | 2015-08-26 |
| 发明（设计）人： | P·苏塔尔德雅;A·吴;W·李;P·李;常润滋 | 申请（专利权）人： | 马维尔国际贸易有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/50 | 分类号： | G11C29/50;G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 酆迅 |
| 地址： | 巴巴多斯*** | 国省代码： | 巴巴多斯;BB |
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| 摘要： | 一种存储器包括存储器单元的阵列、第一模块和第二模块。第一模块被配置为比较存储器单元的第一状态与基准。存储器单元在存储器单元的阵列中。第二模块被配置为继存储器单元的读周期或写周期之后并且基于比较，重新形成存储器单元，以调整在存储器单元的第一状态和第二状态之间的差值。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 重新 形成 电阻 存储器 单元 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种存储器，包括：存储器单元的阵列；第一模块，被配置为比较存储器单元的第一状态与基准，其中所述存储器单元在存储器单元的所述阵列中；以及第二模块，被配置为继所述存储器单元的读周期或写周期之后并且基于所述比较，重新形成所述存储器单元，以调整在所述存储器单元的所述第一状态和第二状态之间的电阻的差值。
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