[发明专利]基于鳍状物的晶体管架构上的平面器件有效
| 申请号： | 201380074018.X | 申请日： | 2013-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN105009294B | 公开（公告）日： | 2018-12-25 |
| 发明（设计）人： | W·M·哈菲兹;P·J·范德沃尔;C-H·简 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L21/205 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 林金朝;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了用于在基于鳍状物的场效应晶体管(finFET)制造工艺流程期间在finFET架构上形成平面状晶体管器件的技术。在一些实施例中，平面状晶体管可以包括例如半导体层，其被生长为本地融合/桥接finFET架构的多个相邻鳍状物并且随后被平面化以提供其上可以形成平面状晶体管的高质量平面表面。在一些实例中，半导体融合层可以是桥接的外延生长，例如包括外延硅。在一些实施例中，这种平面状器件可以有助于例如模拟、高电压、宽Z晶体管制造。同样，在finFET流程期间提供这种平面状器件可以允许例如形成如下晶体管器件：呈现较低电容、较宽的Z、和/或较少的高电场位置，以用于改进的高电压可靠性，在一些实例中，这可以使这种器件有利于模拟设计。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 鳍状物 晶体管 架构 平面 器件 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路，包括：半导体衬底，其被图案化有从其表面延伸的多个鳍状物；隔离层，其形成在所述半导体衬底之上，所述隔离层具有小于所述多个鳍状物的高度的厚度；半导体主体，其形成在所述多个鳍状物的第一子集之上并且具有平面表面，其中，所述半导体主体融合鳍状物的所述第一子集；以及第一栅极体，其形成在所述半导体主体的所述平面表面之上；第二栅极体，其形成在所述多个鳍状物的第二子集之上，其中，鳍状物的所述第一子集与所述第二子集彼此相邻，并且其中，所述第一栅极体与所述第二栅极体彼此电隔离。
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