[发明专利]包括与过孔结合的精细间距背面金属再分布线的互连结构

摘要

本文描述了3D互连结构及其制造方法，其中，金属再分布层(RDL)与穿硅过孔(TSV)一起被集成，并采用了“穿过抗蚀剂镀覆”型工艺流程。氮化硅或碳化硅钝化层可被供于减薄器件晶片背面和RDL之间，从而在工艺流程期间提供密封阻隔和抛光停止层。

主权项

1.一种互连装置，包括：半导体基板，所述半导体基板具有正面和背面；过孔，所述过孔从正面延伸至背面；再分布层RDL，所述再分布层形成于背面和所述过孔之上；第一钝化层，所述第一钝化层直接接触所述RDL的侧表面；第二钝化层，所述第二钝化层被置于所述背面和所述RDL之间；阻隔层，所述阻隔层在所述RDL和所述过孔之间；以及籽晶层，所述籽晶层在所述阻隔层和所述RDL之间，所述籽晶层和所述RDL包括导电材料；其中，所述阻隔层和籽晶层与所述过孔垂直对准并且在所述过孔与所述RDL之间，使得垂直轴与所述RDL、所述过孔、所述阻隔层以及所述籽晶层相交，其中所述过孔还包括：绝缘衬垫层，所述绝缘衬垫层直接接触所述过孔的侧表面；第二阻隔层，所述阻隔层在所述过孔中，并直接接触所述绝缘衬垫；以及导电金属，所述导电金属充填所述过孔。