[发明专利]将双单元的存储数据屏蔽而进行输出的半导体器件有效
| 申请号： | 201380079001.3 | 申请日： | 2013-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN105474325B | 公开（公告）日： | 2019-08-02 |
| 发明（设计）人： | 田边宪志 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/04 | 分类号： | G11C16/04;G11C16/02 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 陈伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 存储阵列(101)包含多个双单元(104)，该双单元(104)由通过阈值电压的不同来保持二进制数据、且各自能够电重写的第1存储元件(102)和第2存储元件(103)构成。输出电路(105)在接收到双单元(104)的读出请求时，在构成双单元(104)的第1存储元件(102)的阈值电压比擦除判断电平小、且构成双单元(104)的第2存储元件(103)的阈值电压比擦除判断电平小的情况下，将双单元(104)的存储数据屏蔽而进行输出。 | ||
| 搜索关键词： | 单元 存储 数据 屏蔽 进行 输出 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于，具有：存储阵列，其包含多个双单元，该双单元由通过阈值电压的不同来保持二进制数据、且各自能够电重写的第1存储元件和第2存储元件构成；和输出电路，其在接收到所述双单元的读出请求时，在构成所述双单元的第1存储元件的阈值电压比擦除判断电平小、且构成所述双单元的第2存储元件的阈值电压比所述擦除判断电平小的情况下，将所述双单元的存储数据屏蔽而进行输出。
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