[发明专利]为嵌入式电阻器形成可调温度系数的方法有效
| 申请号： | 201380079153.3 | 申请日： | 2013-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN105493234B | 公开（公告）日： | 2019-08-27 |
| 发明（设计）人： | W·哈菲兹;李呈光;C-H·简 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/265;H01L21/336 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 王英;陈松涛 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 说明了形成具有可调电阻温度系数的电阻器结构的方法。这些方法和结构可以包括在器件衬底上的源极开口/漏极开口附近的电阻器材料中形成开口，在电阻器材料与源极开口/漏极开口之间形成电介质材料，及更改电阻器材料，其中，借助更改调节电阻器材料的电阻温度系数(TCR)。更改包括调整电阻器的长度，形成复合电阻器结构，及形成替换电阻器。 | ||
| 搜索关键词： | 嵌入式 电阻器 形成 可调 温度 系数 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成电阻器结构的方法，包括：在位于器件衬底上并且邻近源极开口/漏极开口的电阻器材料中形成开口；对所述电阻器材料的在所述开口中的部分进行掺杂，其中，所述电阻器材料的与经掺杂的部分邻近的一部分保持未掺杂；在未掺杂的电阻器部分与所述源极开口/漏极开口之间形成电介质材料；更改经掺杂的电阻器材料，其中，所述电阻器材料的温度系数通过所述更改而被调节；以及邻近经掺杂的电阻器部分形成触点材料，并且在所述源极开口/漏极开口中形成所述触点材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
