[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201380079311.5 | 申请日： | 2013-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN105493267B | 公开（公告）日： | 2018-08-03 |
| 发明（设计）人： | 高久悟 | 申请（专利权）人： | 东芝存储器株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00;H01L23/28;H05K9/00 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 王潇悦;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 根据实施方式，半导体装置具备：基板、多个绝缘层、下部屏蔽板、半导体器件、上部屏蔽板和侧部屏蔽材料。在基板上形成有第1接触部。下部屏蔽板使用磁性体，所述磁性体在基板上以避开第1接触部的方式设置。半导体芯片被设置在下部屏蔽板上，具有与第1接触部电连接的第2接触部。上部屏蔽板使用磁性体，所述磁性体在半导体芯片上以避开第2接触部和连接件的方式设置。侧部屏蔽材料使用磁性体，所述磁性体将下部屏蔽板和上部屏蔽板的没有配置连接件的侧部连接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，具备：形成有第1接触部的基板；下部屏蔽板，其使用了在所述基板上以避开所述第1接触部的方式设置的磁性体；半导体芯片，其在所述下部屏蔽板上设置并具有与所述第1接触部电连接的第2接触部；连接件，其将所述第1接触部与所述第2接触部电连接；上部屏蔽板，其使用了在所述半导体芯片上以避开所述第2接触部和所述连接件的方式设置的磁性体；和侧部屏蔽材料，其使用了将所述下部屏蔽板和所述上部屏蔽板的没有配置所述连接件的侧部连接的磁性体。
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