[发明专利]半导体元件的制造方法、晶圆安装装置有效
| 申请号： | 201380080265.0 | 申请日： | 2013-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN105637618B | 公开（公告）日： | 2020-07-24 |
| 发明（设计）人： | 松村民雄 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/301 | 分类号： | H01L21/301 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的特征在于，具有：切断工序，通过一边使晶圆的第1面吸附于吸附台，一边利用激光从该晶圆将环部切除，从而形成平坦晶圆，在该晶圆的外周形成比中央部厚的环部，该晶圆具有该第1面、和与该第1面相反的面即第2面；粘贴工序，一边使该平坦晶圆的该第2面吸附于吸附手部，一边将该平坦晶圆从该吸附台分离，将该第1面粘贴于切割带；以及切割工序，对被粘贴于该切割带的该平坦晶圆进行切割。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 制造 方法 安装 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体元件的制造方法，其特征在于，具有：切断工序，通过一边使晶圆的第1面吸附于吸附台，一边利用激光从所述晶圆将环部切除，从而形成平坦晶圆，在该晶圆的外周形成比中央部厚的所述环部，该晶圆具有所述第1面、和与所述第1面相反的面即第2面；粘贴工序，一边使所述平坦晶圆的所述第2面吸附于吸附手部，一边将所述平坦晶圆从所述吸附台分离，将所述第1面粘贴于切割带；以及切割工序，对被粘贴于所述切割带的所述平坦晶圆进行切割。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
