[发明专利]半导体存储器件、操作其的方法和包括其的存储系统有效
申请号: | 201410003911.X | 申请日: | 2014-01-03 |
公开(公告)号: | CN104425032B | 公开(公告)日: | 2019-11-05 |
发明(设计)人: | 崔世卿 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | G11C16/30 | 分类号: | G11C16/30 |
代理公司: | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人: | 李少丹;俞波 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 根据本发明实施例的半导体存储器件包括:存储块;驱动电路,对存储器单元执行编程操作;以及电压检测器,当外部电源电压降低至小于参考电压电平时产生检测信号。驱动电路响应于检测信号而在编程操作期间将施加给漏极选择线的电压放电。 | ||
搜索关键词: | 半导体 存储 器件 操作 方法 包括 存储系统 | ||
【主权项】:
1.一种通过接收外部电源电压来操作的半导体存储器件,所述半导体存储器件包括:存储块,所述存储块与漏极选择线、源极选择线、以及布置在所述漏极选择线和所述源极选择线之间的多个字线耦合;驱动电路,所述驱动电路适用于对与所述多个字线之中的选中的字线耦合的存储器单元执行编程操作;电压检测器,所述电压检测器适用于监控所述外部电源电压,以及在所述外部电源电压降低至小于参考电压电平时产生检测信号;以及电压发生器,所述电压发生器适用于接收所述外部电源电压和产生内部电源电压,其中,在所述编程操作期间,当所述外部电源电压降低至小于所述参考电压电平时,所述驱动电路响应于所述检测信号而将施加给执行所述编程操作的所述存储块的所述漏极选择线的电压放电,以及其中,当所述外部电源电压处于第一电压电平和第二电压电平之间时,所述电压发生器产生具有目标电平的内部电源电压,并且所述参考电压电平低于所述第一电压电平而高于所述第二电压电平。
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