[发明专利]一种石墨烯的常压可控生长方法有效
| 申请号： | 201410004425.X | 申请日： | 2014-01-03 |
| 公开（公告）号： | CN103708448A | 公开（公告）日： | 2014-04-09 |
| 发明（设计）人： | 王栋;李景;万立骏 | 申请（专利权）人： | 中国科学院化学研究所 |
| 主分类号： | C01B31/04 | 分类号： | C01B31/04 |
| 代理公司： | 北京庆峰财智知识产权代理事务所(普通合伙) 11417 | 代理人： | 刘元霞 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开一种1-3层石墨烯的常压可控生长方法，包括：在常压下，将金属基底置于含有碳源气体的气氛下，石墨烯经过成核阶段、核生长阶段、和完全覆盖阶段，得到完全覆盖于整个金属基底上的一层、两层或三层石墨烯，其中，通过成核温度控制所述金属基底表面石墨烯成核的层数（一层、两层或三层），再通过调节完全覆盖阶段的总气体流速控制所述金属基底表面的石墨烯在原有层数的基础上大面积生长。本发明提供的石墨烯生长方法，在常压环境下即可实现对1-3层石墨烯的精确控制生长，而且层数均一，缺陷少，易于操作和放大生产。该方法所获取的石墨烯适用于构筑电子器件如场效应晶体管、发光二极管、透明电极等。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 石墨 常压 可控 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种1‑3层石墨烯的化学气相沉积常压可控生长方法，其特征在于，在常压下，将金属基底置于含有碳源气体的气氛下，石墨烯经过成核阶段、核生长阶段、和完全覆盖阶段，得到完全覆盖于整个金属基底上的一层、两层或三层石墨烯，其中通过成核温度控制所述金属基底表面石墨烯成核的层数，即：一层、两层或三层，再通过改变完全覆盖阶段的总气体流速控制所述金属基底表面的石墨烯在原有层数的基础上大面积生长。
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