[发明专利]静电保护电路在审
申请号: | 201410005310.2 | 申请日: | 2014-01-07 |
公开(公告)号: | CN104716135A | 公开(公告)日: | 2015-06-17 |
发明(设计)人: | 柯钧钟;吴志伦;林硕彦 | 申请(专利权)人: | 台湾类比科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02 |
代理公司: | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人: | 程伟;王刚 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明为一静电保护电路,其包含有一静电检测电路及一硅控整流器。该静电检测电路是将一电阻及一电容串接后连接至一直流电源,且该电阻及电容串接点连接至一反相器的输入端,该反相器的输出端连接至该硅控整流器的控制极。该硅控整流器的阳极连接至该直流电源的高电位端,而阴极则连接至该直流电源的低电位端。当静电从该直流电源的高电位端进入时,该静电检测电路的电容此时才开始充电,因此该反相器的输入端仍为低电位,因此该反相器会输出一相对高电位至该硅控整流器的控制极,使该硅控整流器更容易导通,从而让静电通过该硅控整流器来排除。 | ||
搜索关键词: | 静电 保护 电路 | ||
【主权项】:
一种静电保护电路,所述静电保护电路包含有一静电检测电路及一硅控整流器电路;其中该静电检测电路包含有:一第一电晶体,所述第一电晶体的源极连接至一第一端点,闸极连接至一第一节点,汲极连接至一第二节点;一第二电晶体,所述第二电晶体的汲极连接至该第二节点,闸极连接至该第一节点,源极连接至一第二端点;一第一电阻,所述第一电阻连接于该第一端点及该第一节点之间;一电容,所述电容连接于该第一节点与该第二端点之间;其中该硅控整流器电路包含有:一第三电晶体,所述第三电晶体的射极连接至该第一端点,集极连接至该第二节点;一第四电晶体,所述第四电晶体的射极连接至该第二端点,基极连接至该第二节点,集极连接至该第三电晶体的基极;其中该第一端点是连接至一直流电源的高电位端,而该第二端点是连接至该直流电源的低电位端。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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