[发明专利]包括垂直沟道PMOS晶体管的可变电阻存储器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201410006953.9 | 申请日： | 2014-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN104425713B | 公开（公告）日： | 2018-11-02 |
| 发明（设计）人： | 朴南均 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 俞波;毋二省 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供一种具有垂直沟道的半导体器件、包括所述半导体器件的可变电阻存储器件以及所述半导体器件的制造方法。具有垂直沟道的所述半导体器件包括：垂直柱体，形成在半导体衬底上，并且包括内部部分和包围内部部分的外部部分；结区，形成在垂直柱体的外部部分中；以及栅极，被形成为包围垂直柱体。垂直柱体的内部部分具有比垂直柱体的外部部分小的晶格常数。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 垂直 沟道 pmos 晶体管 可变 电阻 存储 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括PMOS晶体管，所述PMOS晶体管包括：垂直柱体，所述垂直柱体形成在半导体衬底上，并且包括内部部分和包围所述内部部分的外部部分；漏极，所述漏极形成在所述垂直柱体的上外部部分中；源极，所述源极形成所述垂直柱体的下外部部分中；以及栅极，所述栅极被形成为包围所述垂直柱体，其中，所述垂直柱体的所述内部部分的晶格常数小于所述垂直柱体的所述外部部分的晶格常数以便被施加应力。
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