[发明专利]半导体器件有效

专利信息
申请号: 201410008814.X 申请日: 2014-01-08
公开(公告)号: CN104242606B 公开(公告)日: 2018-05-01
发明(设计)人: 金锺焕 申请(专利权)人: 爱思开海力士有限公司
主分类号: H02M1/00 分类号: H02M1/00;H02M1/32
代理公司: 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙)11363 代理人: 俞波,毋二省
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种半导体器件,包括外部电压检测单元,适用于检测外部电压的电压电平,以基于检测结果来输出外部电压检测信号;参考电压发生单元,适用于基于外部电压来产生参考电压;内部电压发生单元,响应于外部电压检测信号而被使能,适用于选择性地产生与参考电压相对应的电压作为内部电压;以及内部电压控制单元,适用于响应于外部电压检测信号而选择性地提供具有与内部电压相对应的目标电平的电压作为内部电压。
搜索关键词: 半导体器件
【主权项】:
一种半导体器件,包括:外部电压检测单元,所述外部电压检测单元适用于检测外部电压的电压电平,以基于检测结果来输出外部电压检测信号;参考电压发生单元,所述参考电压发生单元适用于基于所述外部电压来产生参考电压;内部电压发生单元,所述内部电压发生单元响应于所述外部电压检测信号而被使能,适用于选择性地产生与所述参考电压相对应的电压作为内部电压;以及内部电压控制单元,所述内部电压控制单元在所述内部电压发生单元被使能时被禁止,适用于:响应于所述外部电压检测信号,选择性地提供具有与所述内部电压相对应的目标电平的电压作为所述内部电压。
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