[发明专利]半导体器件和具有半导体器件的半导体系统有效
| 申请号： | 201410008845.5 | 申请日： | 2014-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN104299642B | 公开（公告）日： | 2019-01-15 |
| 发明（设计）人： | 丘泳峻 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/4063 | 分类号： | G11C11/4063 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 俞波;周晓雨 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种半导体器件包括：列命令发生单元，适用于响应于第一控制信号和源命令而从源命令产生被延迟了第一延迟时间的列命令；存储体地址发生单元，适用于响应于第一控制信号和存储体源地址而从存储体源地址产生被延迟了第一延迟时间的存储体地址；预充电命令发生单元，适用于响应于第二控制信号和列命令而从列命令产生被延迟了第二延迟时间的预充电命令；以及预充电存储体地址发生单元，适用于响应于第二控制信号和存储体地址而从存储体地址产生被延迟了第二延迟时间的预充电存储体地址。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 具有 半导体 系统 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：列命令发生单元，适用于响应于第一控制信号和源命令而从所述源命令产生被延迟了第一延迟时间的列命令；存储体地址发生单元，适用于响应于所述第一控制信号和存储体源地址而从所述存储体源地址产生被延迟了所述第一延迟时间的存储体地址；预充电命令发生单元，适用于响应于第二控制信号和所述列命令而从所述列命令产生被延迟了第二延迟时间的预充电命令；以及预充电存储体地址发生单元，适用于响应于所述第二控制信号和所述存储体地址而从所述存储体地址产生被延迟了所述第二延迟时间的预充电存储体地址。
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