[发明专利]一种增大flash器件栅电容的方法及flash器件

摘要

本发明提供了一种增大flash器件栅电容的方法及flash结构，通过对制备浮栅的多晶硅层进行局部Ge离子注入后并刻蚀，最终制备出一具有台阶图形的二级浮栅，在不影响器件关键尺寸的前提下，可有效增加介质层与浮栅和控制栅的接触面积，提高控制栅电容；同时形成的二级浮栅结构也提高了介质层与浮栅和控制栅之间能够具有更好的接触，进而提升器件性能；进一步的，本发明形成的浮栅是由多晶硅层和硅锗层共同构成，因此在浮栅中形成有Si‑SiGe异质结，掺杂在SiGe中具有更好的激活特性和更低的栅电阻；同时Si‑SiGe异质结所产生的结电容可以进一步贡献到整个器件的电容，对于flash器件性能提升具有积极效果。

主权项

一种增大flash器件栅电容的方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一衬底，于所述衬底的上表面依次沉积氧化层、第一多晶硅层和掩膜层；依次刻蚀部分所述氧化层、第一多晶硅层和掩膜层至所述衬底形成浅沟槽，沉积一填充层充满所述浅沟槽并覆盖剩余掩膜层的上表面，抛光所述填充层至该剩余掩膜层的上表面，形成浅沟槽隔离结构；去除所述剩余掩膜层后，在所述浅沟槽隔离结构暴露的侧壁上制备一侧墙，并以所述侧墙为掩膜进行离子注入工艺，以在剩余第一多晶硅层中形成一离子掺杂层；移除所述侧墙后，并刻蚀去除部分剩余第一多晶硅层，形成具有台阶图形的浮栅；制备一介质层将所述浮栅暴露的表面完全予以覆盖，再于所述介质层上方沉积第二多晶硅层用以制备控制栅。