[发明专利]液晶显示装置的制造方法及液晶显示装置有效
| 申请号： | 201410010530.4 | 申请日： | 2014-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN103969869B | 公开（公告）日： | 2016-11-30 |
| 发明（设计）人： | 中村考雄;刈込修;高谷亮平 | 申请（专利权）人： | 株式会社日本显示器 |
| 主分类号： | G02F1/1333 | 分类号： | G02F1/1333;G02F1/136;G02F1/1362;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 杨宏军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种液晶显示装置的制造方法及液晶显示装置，在形成将像素电路的薄膜晶体管与像素电极连接的通孔的情况下，减少有机绝缘膜上的无机绝缘膜的后退移动的量。液晶显示装置的制造方法包括：在薄膜晶体管的电极的上方形成具有第1孔的有机绝缘膜的工序；在有机绝缘膜的上方形成无机绝缘膜的工序；在第1孔的中心部之上形成具有第2孔的抗蚀膜的工序；使用抗蚀膜对无机绝缘膜进行干法刻蚀的工序；以及形成与被蚀刻后的无机绝缘膜的上表面接触的像素电极的工序。在进行干法刻蚀的工序中，使氟系气体及氧气的混合干法刻蚀气体的总流量为(腔室的容积)×(0.09～0.11)/分钟，使混合干法刻蚀气体中的氧气的比例为80％以上。 | ||
| 搜索关键词： | 液晶 显示装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种液晶显示装置的制造方法，其特征在于，包括：在基板上形成薄膜晶体管的电极的工序；在所述薄膜晶体管的电极的上方形成具有第1孔的有机绝缘膜的工序；在所述有机绝缘膜的上方形成无机绝缘膜的工序；在所述第1孔的中心部之上形成具有第2孔的抗蚀膜的工序；使用所述抗蚀膜对所述无机绝缘膜进行干法刻蚀的工序；除去所述抗蚀膜的工序；以及形成与被蚀刻后的所述无机绝缘膜的上表面接触的像素电极的工序，在进行所述干法刻蚀的工序中，使氟系气体及氧气的混合干法刻蚀气体的总流量为(腔室的容积)×(0.09～0.11)/分钟，使所述混合干法刻蚀气体中的所述氧气的比例为80％以上。
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