[发明专利]胶粘薄膜、切割/芯片接合薄膜、半导体装置的制造方法及半导体装置有效
| 申请号： | 201410012288.4 | 申请日： | 2014-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN103923573B | 公开（公告）日： | 2019-07-12 |
| 发明（设计）人： | 宍户雄一郎;三隅贞仁;大西谦司 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | C09J7/40 | 分类号： | C09J7/40;C09J7/25;H01L21/78 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 王海川;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及胶粘薄膜、切割/芯片接合薄膜、半导体装置的制造方法及半导体装置。本发明提供可以以良好的成品率制造高品质的半导体装置的胶粘薄膜以及使用该胶粘薄膜的半导体装置的制造方法、以及通过该制造方法得到的半导体装置。本发明的胶粘薄膜，其为用于将固定在被粘物上的第一半导体元件包埋并且将与该第一半导体元件不同的第二半导体元件固定到被粘物上的胶粘薄膜，其中，40℃下对SUS的粘着强度为0.2MPa以下。 | ||
| 搜索关键词： | 胶粘 薄膜 切割 芯片 接合 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种切割/芯片接合薄膜，其具有切割薄膜，所述切割薄膜具有基材以及在该基材上形成的粘合剂层，和胶粘薄膜，所述胶粘薄膜层叠在所述粘合剂层上，所述胶粘薄膜为用于将固定在被粘物上的第一半导体元件包埋并且将与该第一半导体元件不同的第二半导体元件固定到被粘物上的胶粘薄膜，其中，所述胶粘薄膜的40℃下对SUS的粘着强度为0.2MPa以下，所述胶粘薄膜的120℃下的熔融粘度为100Pa·s以上且3000Pa·s以下，所述胶粘薄膜的构成材料为热塑性树脂与热固性树脂组合使用的构成材料，所述热塑性树脂为丙烯酸类树脂，所述热固性树脂为环氧树脂以及酚醛树脂，所述胶粘薄膜含有无机填充剂，所述无机填充剂为二氧化硅粉末，所述胶粘薄膜的构成材料还含有热固化催化剂，所述胶粘薄膜的厚度T为100μm以上且250μm以下但是不包括100μm、或者为100μm以上且300μm以下但是不包括100μm。
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