[发明专利]采用氧化物陶瓷靶磁控溅射制备薄膜的方法有效
申请号: | 201410012303.5 | 申请日: | 2014-01-10 |
公开(公告)号: | CN103726026A | 公开(公告)日: | 2014-04-16 |
发明(设计)人: | 张振中;申德振;武晓杰;王双鹏;姜明明;李炳辉 | 申请(专利权)人: | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
主分类号: | C23C14/35 | 分类号: | C23C14/35;C23C14/08;C23C14/10 |
代理公司: | 长春菁华专利商标代理事务所 22210 | 代理人: | 王丹阳 |
地址: | 130033 吉*** | 国省代码: | 吉林;22 |
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摘要: | 本发明公开了一种采用氧化物陶瓷靶磁控溅射制备薄膜的方法,属于磁控溅射法制备薄膜技术领域。解决了现有技术中采用金属靶制备金属氧化物薄膜的制备成本高、溅射不均匀,采用氧化物陶瓷靶制备氧化物薄膜时,沉积速率低的技术问题。本发明采用射频磁控溅射设备溅射难溅射的氧化物陶瓷靶,采用以氩气为主要溅射气体,以氢气或者氢气和氧气一起作为辅助溅射气体,通过选择合适的气体比例、溅射功率、磁控溅射室压力等参数,通过氢气的还原作用对氧化物陶瓷靶表面还原,提高溅射效率,结合后期退火处理,沉积高质量氧化物薄膜。本发明的方法显著提高薄膜生长速率,并且薄膜表面平整,重复性好。 | ||
搜索关键词: | 采用 氧化物 陶瓷 磁控溅射 制备 薄膜 方法 | ||
【主权项】:
采用氧化物陶瓷靶磁控溅射制备薄膜的方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)将氧化物陶瓷靶置于磁控溅射室;(2)将衬底放入磁控溅射室,抽真空;(3)向磁控溅射室内通入混合气体,调节磁控溅射室压力;所述混合气体为氩气和氢气的混合气体,氩气、氢气和氧气的混合气体,氩气、氢气和氮气的混合气体中的一种,混合气体中氢气占的比例为20%以内;(4)清洗衬底;(5)将衬底温度稳定到20‑800℃,调节溅射压力,维持溅射功率为50‑500W,沉积氧化物薄膜。
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