[发明专利]低温溅射铜锌锡硒太阳能电池

摘要

本发明公开了一种新型的，属于“锌黄锡矿”类的，“铜锌锡硒”薄膜太阳能电池，与“铜铟镓硒”薄膜太阳能电池的结构十分相近，但它对“铜，锌，锡，硒”的化学成分匹配更为严格，我们使用四元素陶瓷靶，一次性“低温溅射，后硒化”工艺制造的“铜锌锡硒”薄膜太阳能电池，在钠钙玻璃基板上镀有约0.35至1.0微米厚的钼薄膜，在钼薄膜层上镀上约0.7至1.5微米厚的“铜锌锡硒”薄膜，经退火后，结成晶体，在“铜锌锡硫”薄膜晶体上经“化学水浴沉积（CBD）”工艺，沉积“硫化镉”，建立“p-n结”薄膜区域；使用低温溅射，没有“硒”流失的弱点；对大面积，化学成分的均匀性及重复性生产有极大的优势，能促进批量生产。

主权项

一种低温溅射工艺制造的薄膜太阳能电池（见说明书附图1），其特征在于：在钠钙玻璃基板 (1) 上镀有约0.35至1.0微米厚钼薄膜，在所述钼薄膜镀有约0.7至1.5微米厚，或1.0微米标准厚度的“铜锌锡硒”薄膜，在“铜锌锡硒”薄膜及退火后的晶体 (3) 与其上表面有“p‑n结”薄膜区域（11）。