[发明专利]一种包含叠层式存储器结构的存储器及其操作方法有效

专利信息
申请号: 201410017165.X 申请日: 2014-01-15
公开(公告)号: CN103928054B 公开(公告)日: 2017-08-15
发明(设计)人: 洪硕男;吕函庭;陈弟文;黄世麟;张国彬;谢志昌;洪俊雄 申请(专利权)人: 旺宏电子股份有限公司
主分类号: G11C16/10 分类号: G11C16/10;G11C16/04
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司11021 代理人: 任岩
地址: 中国台湾新竹*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 发明公开了一种包含叠层式存储器结构的存储器及其操作方法,该包含叠层式存储器结构的存储器包含响应一编程指令而在一特定多位地址处在一多存储单元叠层中的多个目标存储单元中编程数据的控制器电路;所述电路受配置以将在所述多存储单元叠层中的一多存储单元指定使用到多个多存储单元集合,且以反复地执行按顺序选择所述多个集合的每一个的一集合规画操作;每一反复包含施加多个禁止电压到在所述多个集合的其余集合中多个存储单元的全部;而且,每一多层集合包含一或两个的多个子集,且有从其余集合的至少两层与在一集合中所述多个子集的每个分离。
搜索关键词: 一种 包含 叠层式 存储器 结构 及其 操作方法
【主权项】:
一种操作包含一叠层式存储器结构的一存储器的方法,其中多个多位地址映像到被设置在多个层中的多个对应存储单元,所述方法包含:响应在一多存储单元集合中储存数据的一编程指令,执行被限制到在一第一集合中多个存储单元的一第一编程操作,所述多存储单元集合对应于一特定多位地址,所述第一集合包含在所述多存储单元集合中的多个存储单元,所述第一集合包含在所述第一集合中多个层的至少两个的多个子集,其中所述第一集合的所述多个子集是由至少两层而与所述第一集合的其余子集分离,以及然后,完成在所述多存储单元集合中剩余存储单元的编程。
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