[发明专利]半导体元件

摘要

本发明的目的在于提供一种在能够大幅改善导通电阻和击穿电压之间的折衷关系的超级结半导体元件中能够提高抗击穿能力的半导体元件。漏极·漂移部（2）大致相当于成为元件活性部（21）的p基极区域（3a）的正下方部分，为交替重复第一n型区域（2a）和第一p型区域（2b）并接合而成的第一并列pn结构。漏极·漂移部（2）的四周为第二并列pn结构的元件边缘部（22）。元件边缘部（22），通过交替重复并接合与漏极·漂移部（2）的第一并列pn结构相连续而取向的第二n型区域（12a）和第二p型区域（12b）而成。n缓冲层（11）设置于第一、二并列pn结构与n+漏极层（1）之间。在元件边缘部（22）中的n缓冲层（11）的内部，选择性地设置有p缓冲层（17）。

主权项

一种半导体元件，其特征在于，包含：元件活性部，其存在于衬底的第一主面侧，主动或被动地使电流流动；第一导电型的低电阻层，其存在于所述衬底的第二主面侧；纵型漂移部，其介于所述元件活性部和所述低电阻层之间，在导通状态下漂移电流沿纵向流动，而在断开状态下被耗尽，所述纵型漂移部呈由向所述衬底的厚度方向取向的第一纵型第一导电型区域和向所述衬底的厚度方向取向的第一纵型第二导电型区域交替地重复接合而成的第一并列pn结构；元件边缘部，其在所述纵型漂移部的周围介于所述第一主面和所述低电阻层之间，在导通状态下大致为非电路区域，而在断开状态下被耗尽；第一导电型层，其在所述第一并列pn结构和所述低电阻层之间设置在整个所述元件活性部和所述元件边缘部，而且其电阻比所述低电阻层高；以及第二导电型层，其选择性地设置在所述元件边缘部的所述第一导电型层的内部，不与所述第一导电型的低电阻层及所述纵型漂移部相接。