[发明专利]半导体装置及存储装置有效
申请号: | 201410020238.0 | 申请日: | 2014-01-16 |
公开(公告)号: | CN104425515B | 公开(公告)日: | 2017-09-08 |
发明(设计)人: | 岩本正次 | 申请(专利权)人: | 东芝存储器株式会社 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/1157;H01L23/538 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所11247 | 代理人: | 万利军,陈海红 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供能抑制向控制器和存储芯片之间填充树脂所花费的成本且实现更高速的存储芯片的工作的半导体装置及存储装置。半导体装置(50)具备基板(1);控制器芯片(4);存储芯片(2、3)。在基板(1)形成有布线(5)。控制器芯片具有呈长方形形状的表面(4a)并搭载于基板上。存储芯片(2、3)具有呈方形形状的表面(2a、3a)并在控制器芯片的第一长边(41a)侧排列地搭载于基板上。将沿第一长边的方向设为第一方向时,在控制器芯片的表面沿与第一方向正交的一个第一短边(42a)形成控制器侧第一端子组(43)、沿与第一长边相对的第二长边(41b)形成控制器侧第二端子组(44)。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 存储 | ||
【主权项】:
一种半导体装置,其具备:基板,其形成有布线;控制器芯片,其具有俯视呈长方形形状的表面,将该表面的相反侧朝向所述基板地搭载于所述基板上;和存储芯片,其具有俯视呈方形形状的表面,将该表面的相反侧朝向所述基板,并在所述控制器芯片的第一长边侧排列地搭载于所述基板上,在将俯视时沿所述第一长边的方向设为第一方向的情况下,在所述控制器芯片的表面,沿与所述第一方向正交的一个第一短边形成有控制器侧第一端子组,沿与所述第一长边相对的第二长边形成有控制器侧第二端子组,沿所述第一长边形成有控制器侧第三端子组,所述存储芯片具有:沿与所述第一方向正交且朝向与所述第一短边相同侧的一个边在表面形成有第一存储器侧端子组的第一存储芯片;和沿与所述第一方向正交且朝向与所述第一短边相反的方向的另一个边在表面形成有第二存储器侧端子组的第二存储芯片,所述第一存储芯片和所述第二存储芯片在所述基板上层叠,所述第一存储芯片和所述控制器芯片经所述第一存储器侧端子组、所述布线及所述控制器侧第一端子组电连接,所述第二存储芯片和所述控制器芯片经所述第二存储器侧端子组、所述布线及所述控制器侧第二端子组电连接,所述第一存储器侧端子组与成为所述控制器芯片侧的相反侧的边的间隔,比其与所述第一存储芯片的表面的所述控制器芯片侧的边的间隔小,所述第二存储器侧端子组与所述控制器芯片侧的边的间隔,比其与所述第二存储芯片的表面的成为所述控制器芯片侧的相反侧的边的间隔小。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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