[发明专利]一种显示面板制作方法

摘要

本发明实施例公开了一种用于制作具有轻掺杂漏极结构薄膜晶体管矩阵的显示面板的方法，该制作方法先在一基板上形成具有预定形状的半导体图案，在所述基板上形成一覆盖所述半导体图案的介电层，在所述介电层上形成一金属层，在所述金属层上位于半导体图案的正上方形成一尺寸小于所述半导体图案的光阻图案，蚀刻所述金属层以形成一尺寸小于光阻图案的栅极，利用所述光阻图案作为掩膜进行对未被光阻图案覆盖的部分进行高浓度离子掺杂以形成重掺杂区，移除所述光阻图案，利用所述栅极作为掩膜对在所述重掺杂区与被所述栅极覆盖的半导体图案区域之间进行低浓度离子掺杂以形成轻掺杂区。

主权项

一种显示面板制作方法，其用于制作具有轻掺杂漏极结构薄膜晶体管(16)矩阵的显示面板(1)，该显示面板制作方法包括：提供一基板(10)；在所述基板(10)上形成具有预定形状的半导体图案(12)；在所述基板(10)形成一覆盖所述半导体图案(12)的介电层(13)；在所述介电层(13)上形成一金属层(14)；在所述金属层(14)上位于半导体图案(12)的正上方形成一尺寸小于所述半导体图案(12)的光阻图案(15)；蚀刻所述金属层(14)以形成一尺寸小于光阻图案(15)的栅极(14a)；利用所述光阻图案(15)作为掩膜进行一高浓度离子掺杂，以使得所述半导体图案(12)未被光阻图案(15)覆盖的部分形成重掺杂区(12a)；移除所述光阻图案(15)；利用所述栅极(14a)作为掩膜进行一低浓度离子掺杂，以在所述重掺杂区(12a)与被所述栅极(14a)覆盖的半导体图案(12)区域之间形成轻掺杂区(12b)。